第586章 多重曝光技术，集体震撼！ (第2/2页)
“通过三次精准对位、分层刻蚀，我们可以在现有28nm光刻机的硬件基础上，压缩单次刻蚀线宽、叠加电路密度、提升晶圆利用率。”
在场所有人都是坐直了身体。
大家知道赵崇明的情况。
绝对是技术型人才。
人家可是带头弄了35nm光刻机和28nm光刻机的。
其能力……
在场的所有人见了他都要客客气气的。
那是真的一群老教授的心头宝。
“针对多重曝光对位偏差、良率下滑的痛点，我们配套三套优化方案。”
“第一，升级机器内部对位校准算法，引入微米级动态补偿系统，抵消多次曝光产生的机械误差，让三层线路对位精度无限趋近单次曝光标准。”
“第二，重构光罩设计逻辑，拆分复杂图形、规避重叠干涉，分层简化刻蚀难度，大幅降低短路、断路的工艺瑕疵。”
“第三，优化晶圆热管控与光刻胶固化流程，解决多次曝光叠加带来的热变形、胶层堆积问题，稳定整片晶圆的良率水平。”
赵崇明竖起了三根手指。
然后开始详细的说思路
整间会议室瞬间死寂。
全场数十名深耕芯片、光刻、制程工艺多年的顶级技术人才，全部当场惊呆，瞳孔震颤，满脸难以置信。
华为负责终端技术的高管身体微微前倾，死死盯着投影上的分层工艺图纸，彻底失语。
从业多年，他一直被固有思维束缚，默认旧设备无法突破制程上限，从未想过可以通过工艺算法、流程重构、分层拆解的软技术突破，硬生生压榨出硬件的极限潜力。
华为芯片负责人更是神色剧变，心底掀起滔天巨浪。
多重曝光技术一旦落地商用，意味着无需更换高端设备、无需投入千亿级新产线，仅靠技术优化、流程迭代，就能让现有28nm量产设备，稳定产出接近14nm工艺密度的芯片产品。
这根本不是技术优化，这是降维式的工艺革命！
良久，会议室里才响起此起彼伏的倒吸气声，所有人看向赵崇明的目光，彻底充满了极致的敬佩与震撼。
“这个思路……太超前了。”
“完全跳出了全球行业的固化思维，不靠堆设备、不靠堆硬件，纯靠工艺逻辑突破物理极限！”
“简直是神级思路，牛逼到极致！”
众人纷纷感慨，心底的震撼久久无法平息。
这个家伙，简直逆天。
赵崇明的这套多重曝光方案，一旦彻底落地量产，将对整个智能手机、半导体产业，带来颠覆性的深远影响。
首先，国产芯片制程实现跨越式越级，跳过昂贵且漫长的设备迭代周期，用现有成熟产能，直接实现中高端芯片的密度升级，彻底解决国产高端终端芯片产能不足、性能落后的卡脖子难题。
其次，智能手机行业彻底告别“设备决定上限”的被动格局，工艺优化、算法迭代成为新的升级赛道，国产厂商不再被海外光刻机设备卡进度，迭代速度全面反超海外品牌。
最后，整个行业的研发逻辑被彻底改写，从依赖硬件堆叠、设备更新，转变为工艺、算法、架构、流程多维协同迭代，华夏半导体直接掌握制程迭代的自主话语权。
赵崇明想要往下继续推动14nm的光刻机，也不是一件容易的事情。
需要的时间是三年，五年的时间。
从35nm到28nm，用了四年。
下一步，最乐观的估计也就是三年！